Widerstandsberechnung:
𝑈2
𝑃 = 𝑈 ∗ 𝐼 => 𝑅 = 𝑃
𝑅𝜈 = 1 + 𝛼 ∗ 𝛥𝜈 + 𝛽 ∗ 𝛥𝜈 für große ΔT
𝑙
𝑅 = 𝛿∗𝐴
1
Elektrische Leitfähigkeit: 𝜎= = 𝑞 ∗ 𝑛 ∗ 𝜇 mit n: Ladungsträgerdichte und μ: Beweglichkeit
𝛿
Q
Strom: I= mit Q: q ∗ n ∗ V = q ∗ n ∗ A ∗ l
t
𝐼
Dirftgeschwindigkeit: 𝑉𝐷 = 𝑞∗𝑛∗𝐴
Millersche Indizes:
Die millerschen Indizes werden wie folgt gebildet: Man bestimmt die
Schnittpunkte der Kristallebene mit den drei Koordinatenachsen,
kürzt gemeinsame Faktoren, bildet die Kehrwerte und multipliziert mit
dem kleinsten gemeinsamen Vielfachen der Nenner, so dass sich
drei ganze, teilerfremde Zahlen ergeben.
Bsp:
Nehmen wir nun an, bei dem betrachteten Gitter handelt es sich um eine kubisch-
flächenzentrierte Struktur mit einem Aluminium -Atom als Basis. Der Abstand zweier Atome
und damit die Kantenlänge sind dir meist gegeben. Für Aluminium gilt:
Der Abstand der Netzebenen ergibt sich damit zu:
𝑈2
𝑃 = 𝑈 ∗ 𝐼 => 𝑅 = 𝑃
𝑅𝜈 = 1 + 𝛼 ∗ 𝛥𝜈 + 𝛽 ∗ 𝛥𝜈 für große ΔT
𝑙
𝑅 = 𝛿∗𝐴
1
Elektrische Leitfähigkeit: 𝜎= = 𝑞 ∗ 𝑛 ∗ 𝜇 mit n: Ladungsträgerdichte und μ: Beweglichkeit
𝛿
Q
Strom: I= mit Q: q ∗ n ∗ V = q ∗ n ∗ A ∗ l
t
𝐼
Dirftgeschwindigkeit: 𝑉𝐷 = 𝑞∗𝑛∗𝐴
Millersche Indizes:
Die millerschen Indizes werden wie folgt gebildet: Man bestimmt die
Schnittpunkte der Kristallebene mit den drei Koordinatenachsen,
kürzt gemeinsame Faktoren, bildet die Kehrwerte und multipliziert mit
dem kleinsten gemeinsamen Vielfachen der Nenner, so dass sich
drei ganze, teilerfremde Zahlen ergeben.
Bsp:
Nehmen wir nun an, bei dem betrachteten Gitter handelt es sich um eine kubisch-
flächenzentrierte Struktur mit einem Aluminium -Atom als Basis. Der Abstand zweier Atome
und damit die Kantenlänge sind dir meist gegeben. Für Aluminium gilt:
Der Abstand der Netzebenen ergibt sich damit zu:
