Samenvatting elektronica_chapter2

Chapter 2
- Diode (halfgeleider)
o PN-junctie
o Stroom slechts in 1 richting mogelijk
o Verpakking:
 Through-hole
 Kathode aangeduid met streepje, randje (kort)
 SMD
 Kathode met streepje of randje
 Vb. SOT-23 (Small-Outline_transistor)
o 3 pinnen
 1 diode: pin 3 = K en pin 1 = A
 2 diodes: pin 3 = common A of K
o Forward bias = toestand waar elektrische stroom doorlaat
 P(+) en N(-)
 V(BIAS) -> weerstand beperkt stroom
 V(BIAS) > V(B) (=potentiaalbarrière)
 Door elektronenstroom en
gatenstroom
 Elektronen verliezen energie (=V(B))
o Silicium = 0.7V
o Germanium = 0.2 V
 V(F) (forward-bias voltage)
 I(F) (forward current)
 R = U/I -> weerstand stijgt in grafiek
 In C: geleidelijke toename V(F)
o Door interne dynamische
weerstand (materiaaleigenschap)
o Reverse bias
 P(-) en N(+)
 V(BIAS) -> Weerstand beperkt stroom
 V(BIAS) >>> : doorslagspanning (breakdown voltage)
 1 elektron duwt meerdere elektronen uit valentielaag
o => lawine-e ect (avalanche e ect)
 V(R) (reverse voltage)
 I(R) (reverse current)
 V(BR) (breakdown voltage)
 = (Peak Inverse Voltage)
 = (Peak Reverse Voltage)




1

, - Stroomspanningskarakteristiek
o Temperatuurafhankelijk
 Poteniaalbarrière daalt 2 mV bij elke
graad toename temperatuur

- Diodemodellen




o Ideaal (schakelaar)
 V(BIAS) = 0 V
 Dynamische weersant = 0




o Praktisch
(schakelaar met V(F)
= 0.7V)
 Dynamische
weerstand = 0



o Compleet
 Met extra r’(R)




- Datablad
o 1N4001: eigenschappen
 Maximale waarden
 V(PRM) (peak reverse voltage) = 50 V (vb)
 Thermische karakers
 Vb. gemiddelde vermogens-disspatie = 3 W
 Elektrische karakter
 V(F)@ 1 A = 1.1 V
o In grafieken




2