Samenvatting elektronica_chapter4

Chapter 4
- Transistor
o Vervangt vacuümbuis
o BJT (bipolar junction transistor)
 bipolair: elektronen en gaten zijn ladingsdragers
o 3 zones + 2PN-juncties
 Emittter (E): zwaar gedoteerd
 Basis (B): dun en licht gedoteerd
 Collector (C): gematigd gedoteerd
o NPN vs PNP
o Stroom laten variëren
(door kleinere stroom)
 kleine signalen -> grote signalen
 elektronische hefboom: kleine kracht, grote verandering
o transistor = transfer + resistor
 ingang R: hoog
 uitgang R: laag
o werking:
 Forward-reverse bias (DC-instellingen:)
 Basis-emitter (BE) : forward bias
 Basis-collector (BC): reverse bias




 NPN: transistore ect
 Grote spanning op collector + dunne
basis
> Collector zuigt elektronen aan
 Conventionele stroomrichting:
 I(E) : emitterstroom
 I(B): basisstroom
 I(C): collectorstroom
 (hoofdletters: DC-stromen)

