Samenvatting elektronica_chapter5

Chapter 5
Biasing transistor

- DC-instelling
o Transistor = lineaire versterker
 Weg van saturatie en cut-o
o DC-instelpunt of biasing
 Restpunt of Q-punt
 Andere distorsie (vervorming)
 Q1
 I(B) = 200𝜇 A
 I(C) = 20 mA




 Q2
 I(B) = 300 𝜇 A
 I(C) = 30mA
 Q3
 I(B) = 400 𝜇 A
 I(C) = 40mA
o DC-belastingslijn
 Rechte op collectorkarakteristieken
 Enkel bepaald door V(CC) en R(C), niet door transistor



Saturatie -> cut-o



Q-punt = DC-instelpunt

= snijpunt DC-belastingslijn en collectorkarakteristiek
 Voor een bepaalde waarde I(B)
 Lineair gebied
 Alles Q-punten tussen saturatie en cut-o
 Uitgang: lineair versterkt (tov ingang)
o Met V(in) -> AC!
 100 𝜇 A schommelingen in basisstroom
 Uitgang: tegenfase