Elektrische eigenschappen
Wet van Ohm ∆𝑉 = 𝐼𝑅
Elektrisch veld intensiteit 𝑉
=𝐸
𝑙
Stroomdichtheid 𝐼
=𝐽
𝐴
Resistiviteit 𝑅𝐴
𝜌= (Ω𝑚)
𝑙
Conductiviteit 1
𝜎=
𝜌
Stroomdichtheid analogie met wet van 𝐽 = 𝜎𝐸
Ohm
Driftsnelheid 𝑣! = 𝜇" 𝐸
𝜇" = elektron mobiliteit ~ frequentie van
scatter botsingen
Conductiviteit elektronen 𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇"
𝑒 = 1.6*10-16 C, n = (#vrije elektronen)/volume
Regel van Matthiessen 𝜌 = 𝜌# + 𝜌$ + 𝜌!
Grens tussen isolatoren en halfgeleiders 𝑖𝑠𝑜𝑙𝑎𝑡𝑜𝑟𝑒𝑛: 𝐸% > 2𝑒𝑉
ℎ𝑎𝑙𝑓𝑔𝑒𝑙𝑒𝑖𝑑𝑒𝑟𝑠: 𝐸% < 2𝑒𝑉
Intrinsieke halfgeleiding 𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇" + 𝑝|𝑒|𝜇&
𝜇& = hole mobility
Capaciteit 𝑄 𝐴
𝐶= =𝜀
𝑉 𝑙
𝜀 = permittiviteit van materiaal tussen platen
dipoolmoment 𝑝 = 𝑞𝑑
Surface charge density 𝐷 = 𝜀' 𝐸 + 𝑃
Magnetische eigenschappen
Extern opgelegd magnetisch veld 𝑁𝐼
𝐻=
𝑙
N = aantal wikkelingen
Magnetisch inductieveld 𝐵 = 𝜇𝐻
permeabiliteit 𝜇 = Gemak waarmee materiaal
gemagnetiseerd kan worden
Wet van Ohm ∆𝑉 = 𝐼𝑅
Elektrisch veld intensiteit 𝑉
=𝐸
𝑙
Stroomdichtheid 𝐼
=𝐽
𝐴
Resistiviteit 𝑅𝐴
𝜌= (Ω𝑚)
𝑙
Conductiviteit 1
𝜎=
𝜌
Stroomdichtheid analogie met wet van 𝐽 = 𝜎𝐸
Ohm
Driftsnelheid 𝑣! = 𝜇" 𝐸
𝜇" = elektron mobiliteit ~ frequentie van
scatter botsingen
Conductiviteit elektronen 𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇"
𝑒 = 1.6*10-16 C, n = (#vrije elektronen)/volume
Regel van Matthiessen 𝜌 = 𝜌# + 𝜌$ + 𝜌!
Grens tussen isolatoren en halfgeleiders 𝑖𝑠𝑜𝑙𝑎𝑡𝑜𝑟𝑒𝑛: 𝐸% > 2𝑒𝑉
ℎ𝑎𝑙𝑓𝑔𝑒𝑙𝑒𝑖𝑑𝑒𝑟𝑠: 𝐸% < 2𝑒𝑉
Intrinsieke halfgeleiding 𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇" + 𝑝|𝑒|𝜇&
𝜇& = hole mobility
Capaciteit 𝑄 𝐴
𝐶= =𝜀
𝑉 𝑙
𝜀 = permittiviteit van materiaal tussen platen
dipoolmoment 𝑝 = 𝑞𝑑
Surface charge density 𝐷 = 𝜀' 𝐸 + 𝑃
Magnetische eigenschappen
Extern opgelegd magnetisch veld 𝑁𝐼
𝐻=
𝑙
N = aantal wikkelingen
Magnetisch inductieveld 𝐵 = 𝜇𝐻
permeabiliteit 𝜇 = Gemak waarmee materiaal
gemagnetiseerd kan worden